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Journal Of Computational Electronics

Journal Of Computational Electronics是一份國(guó)際專業(yè)期刊，致力于匯集全球范圍內(nèi)最優(yōu)秀的工程技術(shù)-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究者，為他們提供一個(gè)展示最新研究成果、交流學(xué)術(shù)思想的平臺(tái)。該期刊中文名稱：計(jì)算電子學(xué)雜志，國(guó)際簡(jiǎn)稱：J COMPUT ELECTRON，在中科院分區(qū)表2023年12月升級(jí)版中大類學(xué)科位于4區(qū)。本刊是一本OA未開放訪問期刊，該刊預(yù)計(jì)審稿周期： 12周，或約稿 。

基礎(chǔ)信息
  • 大類學(xué)科：工程技術(shù)
  • 小類學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
  • 是否預(yù)警：否
  • 影響因子：2.2
  • ISSN：1569-8025
  • E-ISSN：1572-8137
  • CiteScore：4.5
  • H-index：27
  • 出版語言：English
  • 出版商：Springer US
  • 出版地區(qū)：UNITED STATES
  • 出版周期：6 issues per year
  • 是否預(yù)警：否
  • 創(chuàng)刊時(shí)間：2002
  • 文章自引率：0.0476...
  • 是否OA：未開放
  • 出版地區(qū)：UNITED STATES
  • 影響因子：2.2
  • 年發(fā)文量：117
  • 出版周期：6 issues per year
  • CiteScore：4.5
  • H-index：27
  • 研究類文章占比：100.00%
  • Gold OA文章占比：8.61%
  • 開源占比：0.0676
  • OA被引用占比：0.025
  • 出版國(guó)人文章占比：0.08
  • 出版撤稿文章占比：0.0053...

期刊簡(jiǎn)介

Journal Of Computational Electronics雜志是一本未開放獲取期刊，由Springer US出版，6 issues per year發(fā)行一次。該雜志是工程技術(shù)領(lǐng)域方面發(fā)表綜合文章的國(guó)際論壇。此外，該期刊還有助于促進(jìn)這些研究領(lǐng)域的科學(xué)家之間的交流，從而開發(fā)新的研究機(jī)會(huì)，通過新發(fā)現(xiàn)推動(dòng)該領(lǐng)域的發(fā)展，并接觸到各個(gè)層次的科學(xué)家。該刊入選的論文應(yīng)具有廣泛意義的數(shù)據(jù)、綜合研究或概念。

Journal Of Computational Electronics已被國(guó)際權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄。該刊歡迎來自所有工程技術(shù)及其相關(guān)領(lǐng)域的投稿，編輯們致力于迅速評(píng)估和發(fā)表提交的論文，同時(shí)堅(jiān)持高標(biāo)準(zhǔn)，該期刊發(fā)表多種類型的內(nèi)容，包括原創(chuàng)研究論文、綜述、信件、通訊和評(píng)論，這些內(nèi)容詳細(xì)闡述了該領(lǐng)域的重大進(jìn)展并涵蓋熱門話題。近年在Journal Of Computational Electronics期刊上發(fā)表文章的機(jī)構(gòu)主要的有：NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)、ISLAMIC AZAD UNIVERSITY、INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)、SHAHID BEHESHTI UNIVERSITY、ARIZONA STATE UNIVERSITY；在該期刊上發(fā)表文章的主要國(guó)家和地區(qū)有：India、Iran、CHINA MAINLAND、USA、Algeria。

中科院SCI分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 小類學(xué)科 Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
4區(qū) 4區(qū)
否 否
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 小類學(xué)科 Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
4區(qū) 4區(qū)
否 否
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 小類學(xué)科 Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
4區(qū) 4區(qū)
否 否
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 小類學(xué)科 Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
4區(qū) 4區(qū)
否 否
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類學(xué)科 小類學(xué)科 Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
4區(qū) 4區(qū)
否 否
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類學(xué)科 小類學(xué)科 Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用
4區(qū) 4區(qū)
否 否

中科院分區(qū)表被廣泛應(yīng)用于國(guó)際科研評(píng)價(jià)體系中。許多國(guó)際學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)、研究基金以及大學(xué)都采用這種分區(qū)方式來評(píng)估研究者的學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)和水平，這使得中科院SCI期刊分區(qū)在國(guó)際上得到了廣泛的認(rèn)可和應(yīng)用。中科院SCI期刊分區(qū)的計(jì)算方式主要基于期刊的三年平均影響因子， 這一計(jì)算方式更準(zhǔn)確地反映期刊在一段時(shí)間內(nèi)的學(xué)術(shù)影響力和水平。

JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 183 / 352

48.2%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.2%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 190 / 354

46.47%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 100 / 179

44.41%

Cite Score（2024年最新版）

  • CiteScore：4.5
  • SJR：0.294
  • SNIP：0.824
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Mathematics 小類：Modeling and Simulation Q2 89 / 324

72%
大類：Mathematics 小類：Electrical and Electronic Engineering Q2 295 / 797

63%
大類：Mathematics 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 91 / 224

59%
大類：Mathematics 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 121 / 284

57%

CiteScore分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)主要是基于學(xué)科領(lǐng)域期刊的引用次數(shù)排名進(jìn)行劃分的。具體來說，這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)將期刊分為四個(gè)區(qū)域：Q1、Q2、Q3和Q4。Q1區(qū)包含的是引用次數(shù)排名最前的前25%的期刊，這些期刊在學(xué)科領(lǐng)域內(nèi)具有最高的影響力。接下來的Q2區(qū)包含引用次數(shù)排名次高的25%的期刊，以此類推，Q3和Q4區(qū)分別包含引用次數(shù)排名中等的和后25%的期刊。

期刊指數(shù)

影響因子和CiteScore統(tǒng)計(jì)圖

影響因子和CiteScore都是重要的學(xué)術(shù)評(píng)價(jià)指標(biāo)，能夠幫助研究者和學(xué)者了解期刊的學(xué)術(shù)影響力。影響因子（Impact Factor）和CiteScore在計(jì)算方式和覆蓋范圍上有所不同。影響因子主要關(guān)注期刊過去兩年內(nèi)發(fā)表的論文被引用的次數(shù)，而CiteScore則考慮了過去三年的數(shù)據(jù)。此外，影響因子是基于Web of Science數(shù)據(jù)庫計(jì)算的，而CiteScore則是基于Scopus數(shù)據(jù)庫。這使得兩種指標(biāo)在評(píng)估學(xué)術(shù)期刊時(shí)具有不同的側(cè)重點(diǎn)和覆蓋范圍。

中科院分區(qū)表統(tǒng)計(jì)圖
被他刊引用次數(shù)統(tǒng)計(jì)
引用他刊次數(shù)統(tǒng)計(jì)

期刊被他刊引用次數(shù)反映了期刊上發(fā)表的論文被其他研究者和學(xué)者引用的頻率。被引指數(shù)越高，說明該期刊的論文在學(xué)術(shù)界受到的關(guān)注越廣泛，影響力也越大。

期刊引用他刊次數(shù)指標(biāo)通常指的是該期刊所發(fā)表的論文中引用其他期刊文獻(xiàn)的次數(shù)。這個(gè)指標(biāo)可以反映期刊在學(xué)術(shù)交流和知識(shí)傳播中的活躍程度，以及期刊對(duì)外部研究成果的引用和整合能力。

該期刊中國(guó)學(xué)者近期發(fā)表論文選摘

  • Exploring the electrical performance of advanced and environmental-friendly novel nanomaterial wires in generator winding through finite element analysis Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 17-28. DOI: 10.1007/s10825-022-01965-y
  • Ab-initio characterization of iron-embedded nitrogen-doped graphene as a toxic gas sensor Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 116-127. DOI: 10.1007/s10825-022-01977-8
  • Efficient modeling approach for simulating multi-physics responses of an ion-sensitive field-effect transistor using artificial neural networks Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 242-249. DOI: 10.1007/s10825-022-01979-6
  • Critical parameters of gate control in NC-FinFET on GaAs Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 164-177. DOI: 10.1007/s10825-022-01957-y
  • Velocity-field characteristics of MgxZn1-xO/ZnO heterostructures Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 2, pp. 603-611. DOI: 10.1007/s10825-022-01999-2
  • Storm surge level prediction based on improved NARX neural network Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 2, pp. 783-804. DOI: 10.1007/s10825-023-02005-z
  • Ultrahigh FOM and multiple Fano resonances in MIM waveguide systems with half-ring and rectangular cavities Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 3, pp. 839-848. DOI: 10.1007/s10825-023-02022-y
  • Nonlocalization of singular potentials in quantum dynamics Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1007/s10825-023-02042-8
  • A novel micro-scaled multi-layered optical stress sensor for force sensing Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 2, pp. 768-782. DOI: 10.1007/s10825-023-02014-y
  • Ternary RCS reduction metasurface based on a parallel resonance circuit Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 3, pp. 906-912. DOI: 10.1007/s10825-023-02032-w
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